金融界2023年12月7日消息，据国家知识产权局公告，绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法“，公开号CN117174714A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制造方法，制造方法通过将形成p阱的步骤移至形成第一栅极和第二栅极之后，使得形成第一栅极和第二栅极中的热过程没有对p阱造成影响，使得工艺稳定可控；与现有技术相比，本发明无需形成对位标记，省略了零刻蚀工艺步骤，省去了零刻蚀工艺所需掩膜版；还通过同时形成第一栅极和第二栅极，使得形成第一栅极和第二栅极时无需掩膜版，从而使得本发明省去两张掩膜版，简化了工艺流程并降低了成本。
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