金融界2024年3月2日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“半导体芯片、包括该半导体芯片的半导体封装及其制造方法“，公开号CN117637676A，申请日期为2023年4月。
专利摘要显示，一种半导体芯片，包括：半导体衬底，具有第一表面和第二表面；晶体管，在第一表面上；第一层间介电层，在晶体管上；第二层间介电层，在第一层间介电层上；布线线路，在第二层间介电层中；第一导电焊盘，在第二层间介电层上；第一钝化层，在第二层间介电层上；第二导电焊盘，在第一钝化层中；通孔，穿透半导体衬底和第一层间介电层以连接到布线线路；第二钝化层，在第二表面上；以及第三导电焊盘，在第二钝化层中并且连接到通孔。第一钝化层的第一厚度是第一表面与第二钝化层的顶表面之间的第二厚度的0.4至0.6倍。
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